光刻胶是光刻机生产、芯片生产的核心原材料之一，其作用是用于抗腐蚀涂层材料。虽然我国也能生产光刻胶，但在高端光刻胶领域，我们依然依赖于进口。

据悉，在高端光刻胶领域，日本占据了全球市场的75%，掌握了高端光刻胶的绝对话语权。反观国内的高端光刻胶市场份额就比较寒酸，让人有些难过。

以ArF光刻胶为例，这种光刻胶用于14nm至130nm的芯片、光刻机上，但我国的ArF光刻胶的国产自给率仅为1%，因此我国需要从日企购买ArF光刻胶。

(资料图片)

值得庆幸的是我国半导体产业发展迅猛，多项技术实现突破，这其中就包括光刻胶的突破。据悉，国内光刻机公司南大光电已经开发出多款ArF光刻胶，这些光刻胶制程覆盖到28nm—90nm，并且这些光刻胶得到下游合作伙伴的验证。

换言之，在ArF光刻胶领域，我国突破了1%的自给率，这对我国光刻机、芯片的发展起到促进作用。

虽然在高端光刻胶领域，我国已经实现了1%自给率的突破，但在高端EUV光刻机领域，我们的进展依然为零。面对这种奇怪的现象，一些关心国产光刻机的用户提出了自己疑问:难道国产ArF光刻胶名不副实吗？对于这个问题，我认为我们要这样看。

首先是光刻胶的种类有很多，ArF光刻胶只是光刻胶的一种。据悉，光刻胶可分为5类，分别是EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶、g线光刻胶、i线光刻胶。

其中EUV光刻胶生产难度最大，技术含量最高。而7nm的EUV光刻机就远EUV光刻胶。目前南大光电的光刻胶还停留在ArF光刻胶阶段，离EUV光刻胶还有不小的差距。

其次是南大光电的ArF光刻胶还在试验阶段，离量产上市还有一段距离。虽然南大光电的ArF光刻胶得到下游合作伙伴的验证。但这种验证并不完善，离量产上市还有不小距离。而且一款新材料从试验阶段到量产上市也需要很长一段时间，短则1、2年，长则10年、20年。

由此可见，南大光电的ArF光刻胶在目前的光刻机、芯片研发上没有太大作用，这是当下不得不承认的现实。

再者是光刻机、芯片的研发生产对光刻胶的材质要求非常高。比如一些高端DUV光刻机对光刻胶的覆盖要求达到14nm，而南大光电的ArF光刻机覆盖范围为28nm—90nm。试问这种光刻胶如何能满足高端DUV光刻机的研发、生产呢？

最后是光刻机、芯片的研发是一项非常复杂的事情，仅靠光刻胶的突破无法解决问题。一台EUV光刻机的组装需要十几万个零部件，每一个零部件生产背后都是全球最顶级公司的技术支撑。

所以南大光电的ArF光刻胶的技术突破并不能解决光刻机、芯片的研发生产，而只是加快光刻机、芯片研发生产的进程。

写在最后

自从华为遭受老美打压后，国人对国产光刻机、国产芯片的发展极为关注。但凡光刻机、芯片的某项技术实现突破，网络上就掀起了一股‘厉害了’‘碾压其他公司’的言论。

一旦这些技术无法改变国产光刻机、国产芯片的处境，那么网络上就对这些技术嗤之以鼻，甚至是责骂。

任何尖端设备的研发成功是数以万计技术的突破，靠一项、十几项技术突破无法改变现状。所以网友们还是少一点自大，多一点低调，唯有如此，我们才能营造良好科研环境。

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